一、 设备型号、关键性能参数

设备型号：

MBE-CLUSTER

关键性能参数：

真空度：10^-10mbar

旋转加热台：RT-1000℃，±1℃

低温源(10个)：RT-600℃，±0.1℃

中温源(6个)：RT-1500℃，±0.1℃

均匀性±2%，重复性±2%

样品尺寸: 2英寸并向下兼容小样品

二、 设备原理

分子束外延系统（MBE），作为最新实用的材料生长技术之一，通过对生长源加热，可以在单原子层精度生长高质量的单晶薄膜，在低维材料以及纳米材料具有广泛的应用前景，将满足于不同类型的高质量有机分子半导体薄膜、金属薄膜和氧化物薄膜薄膜材料的制备。

三、 应用范围

该设备主要用于在超高真空中从几纳米到百纳米功能薄膜的快速可控制备，最高温度可达1500℃，用于在基片上生长P型、N型、P型掺杂、N型掺杂等不同类型的有机分子半导体薄膜、金属薄膜和氧化物薄膜，适用于绝大部分分子半导体器件材料。期间无需暴露大气，很好地满足有机分子半导体薄膜与光电器件研究和开发的需求。

四、 设备特色

（1）由6个超高真空腔体组成，包括1个中转腔和5个功能腔（3个有机物生长腔、1个金属生长腔、1个氧化物生长腔）；不同类型的薄膜在不同的腔室完成生长，避免了传统单腔体系统的材料交叉污染。

（2）配有10个低温源和6个中温源总计16个束源。每个生长腔最多可装4个蒸发源，并配有独立控制的加热系统，实现最多4种材料同时生长。

（3）每个功能腔都具备石英晶体微天平（QCM），具有生长速率实时监测功能，更加精准控制薄膜生长质量和速度。

（4）具有自动化控制系统，实现样品传送、材料生长、设备运行状态监控一键式程序控制；满足样品在多个生长腔室及互联对接间自动传样以及按编辑流程自动生长，极大提高了工艺效率、重复性和精准度。

五、 应用领域

可应用于有机分子半导体，微电子，光伏、超导体、金属或氧化物薄膜，纳米材料，新能源，化学，医药，生物，冶金等领域。