一、设备型号、关键性能参数

型号：PLD-300

真空极限：超高真空（优于2x10^-10 torr ，经烘烤除气后）

样品台加热温度： RT -1000℃

样品尺寸：最大2英寸

激光波长：248nm

激光最大脉冲能量：800mJ

激光脉冲频率范围：1~10Hz

二、设备原理

整个PLD镀膜过程通常分为三个阶段。

1.激光与靶材相互作用产生等离子体。

2.等离子体火焰形成后，其与激光束继续作用，进一步电离

3.等离子体在基片上成核、长大形成薄膜。

三、应用范围

沉积高质量薄膜

四、设备特色

超高真空（优于2x10^-10Pa，经烘烤除气后）

样品原位处理（加热、氩离子轰击）

差分式高能电子衍射仪（实时原位精确地控制原子层或原胞层尺度的外延膜生长，

检测样品的表面结构）

进样室配有样品库（装载6片样品或靶材等）

可实现不破真空更换靶材

五、应用领域

可应用于超导、光学、金属、半导体、铁磁、铁电等