金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备

设备型号：AIXTRON Close Coupled Showerhead 6x2 inch

关键性能参数：

1) 工作压力：0-1300 mbar

2) 工作温度：0-1300 ℃

3) 生长速率：0.01~1 nm/s

设备特色：

4) 高生长速率、高掺杂均匀性和重复性

5) 高的产能，成本相对较低

6) 高灵活性---同一机台可以生长不同的材料

7) 异质界面陡峭，适合生长超晶格和量子阱结构等

应用领域：

半导体、化合物半导体、无机非金属材料等领域