一、设备型号、关键性能参数

型号：Microwriter ML3

关键性能参数：

加工尺寸：8寸以下兼容

曝光光源：385nm

直写分辨率：0.4um，0.6μm，1μm，2μm，5μm

对准显微镜镜头：x3，x5，x10，x20，x50  自动切换

最快直写速度：

4mm2/min @ 0.4μm

17mm2/min @ 0.6μm

50mm2/min @ 1μm

120mm2/min @ 2μm

180mm2/min @ 5μm

最小线宽尺寸：0.4μm

多层套刻精度：±0.5μm

最小栅格精度：100nm

样品台最小位移步长：50nm

二、设备原理：

Microwriter是通过电脑控制数字微镜阵列（DMD）像素的开和关以控制光路，将设计版图映射到晶片表面的光刻胶上，每次曝光一个写场中的图形，接着曝光下一个写场的图形，直至将整个晶片完全曝光。样品台（放置样品）被平面内XY两轴向的精密位移电机控制，能实现写场间的高精度拼接。该光刻设备无需加工物理掩膜版，设计好的电子版图文件导入控制电脑，经过软件处理和曝光参数设定进行全自动图形曝光。

三、应用范围：

亚微米级图形结构制备

二维材料电极图形制备

无固定掩模光刻加工

三维结构图形制备

四、设备特色：

灰度直写：255级；

温度补偿功能：调节系统激光干涉仪校正参数，补偿温度偏差；

虚拟掩模板对准：曝光前调用虚拟掩模板，辅助套刻对准；

气动减震光学平台

自动晶圆检查工具：可自动识别晶圆中心

五、应用领域：

MEMS、半导体、光学领域等.