高真空电阻蒸发镀膜设备

关键性能参数

l  真空：进样室极限真空可达到2E-4Pa

      薄膜制备室极限真空可达到2E-5Pa

l  进样室配备卡夫曼刻蚀离子源，配备刻蚀气体：Ar，刻蚀不均匀性低于±5%

l  薄膜制备室安装双温区热蒸发束源炉，材料：In，坩埚容量50cc，In沉积速率最快可达5nm/s

l  薄膜制备室样品台配置VPC-500型深冷机，可对样品进行冷却

应用范围

l  沉积In金属

应用领域

l  量子计算

l  可用于超导体，半导体，微电子，纳米材料的制备

l  新型薄膜太阳能电池和传感器