关键性能参数

电源：2个（1DC+1RF）

靶位：5支（1强磁+4标准）

进气：N2、Ar、O2

基片温度：室温至800℃

设备极限真空：<5×10^-8 Pa，常驻本底真空<1×10^-7 Pa

薄膜不均匀性<±5%

应用范围

Al、Ti、Ni、Ta、Nb、Cu、TiN等

设备特色

进样室可存放3个2寸样品

可加衬底射频偏压，完成清洗或偏压生长

设备原理

一种较为常用的物理气相沉积镀膜法，在真空室中，利用低压气体放电现象，使处于等离子状态下的离子轰击靶表面，并利用环状磁场控制辉光放电，使溅射出的粒子沉积在基片上，从而得到均匀优质的薄膜

应用领域

适用于绝大部分器件工艺、表面装饰等领域

在高温超导薄膜、太阳能电池、记忆合金等薄膜研究方面起到重要作用

快速沉积优质超硬膜，增透膜，表面功能膜等适应科技领域前沿方向