一、设备型号、关键性能参数

Ø  型号：Q-MBE （MBE-35-N-EBS）

Ø  功能：金属及氮化物超导材料制备

Ø  背景压力：超高真空（~7e-11 torr）；

Ø  样品尺寸:  2英寸，兼容旗型样品托；

Ø  衬底加热温度：生长腔最高1000℃，预处理腔最高1300℃；

Ø  配备氮等离子源、氧等离子源；

Ø  配备冷嘴Al材料蒸发源 ；

Ø  配备高熔点金属电子束蒸发源；

二、设备特色

Ø  腔体液氮冷却条件下，极限真空能达到5.0e-11 torr，工作真空一般能达到~2e-10 torr；

Ø  30 KeV 反射式高能电子衍射仪，能实时检测薄膜的生长；

Ø  预处理腔配备氧等离子体源和高温处理台（1300℃），可除去化学清洗后衬底表面污染；

Ø  外延生长过程中实时监控设备多，包括RHEED、QCM、RGA、红外测温、原子吸收谱等；

Ø  生长腔样品台可控制倾斜角度，可用于探索图形化器件的薄膜制备；

Ø  与原子级尺度形貌表征设备AFM/STM组成联合系统，可从原子级尺度研究薄膜生长动力学行为特征；

三、设备应用范围

超导材料分子束外延设备（Q-MBE）在超高真空环境利用热蒸发原理沉积金属薄膜，实现高质量金属薄膜的成分可控、膜厚可控生长，在金属超导量子材料、氮化物超导量子材料、拓扑量子材料、半导体材料等原子级尺度制备及器件制作方向具有广泛应用前景。