UHV-ALD

设备型号：SVT UHV-PEALD-P-100

关键参数：

· 6路独立前驱体源管线入口，其中两路前驱体可加热，一路可冷却（-10℃-RT）

· 4路等离子体源(N₂, H₂, O₂, Ar)

· 载气可切换N₂，Ar

· 反应腔最高沉积温度500℃

· 原位监测手段：RGA，OES

· 载台独立射频偏压

· 可处理的样品尺寸：≤2英寸

设备特色：

· 超高真空互联：反应腔本底真空可达E-9Torr；传送腔真空优于E-9Torr

· 原位监测：OES，监测等离子的产生；RGA，监测化学反应的进行

· 原子层刻蚀模式：载台独立射频偏压

设备原理：

原子层沉积是将气相前驱体脉冲交替地通入反应室，并在沉积基体上发生表面化学吸附反应，从而逐层形成薄膜。前驱体在表面的化学吸附具有自限制性，因而可通过反应的循环次数来控制薄膜的厚度。原子层刻蚀是首先对表面层进行改性，第二步对其进行去除。利用改性步骤的自限制性，达到逐层去除的目标。

应用领域：

介电材料、II-VI&III-V半导体、二维材料、锂离子电池、催化、光学等领域

试运行阶段仅提供AlN, Al2O3服务，其他服务请提前咨询。