一、设备型号、关键性能参数

设备型号：SPECS MBE

关键性能参数：

• 背景压力：超高真空（2×10^-10 mbar）

• 衬底温度：110 K-1100 K

• 外延控制精度：单原子层至多原子层

• 蒸发源种类：电子束蒸发源  高温蒸发源  单丝蒸发源  低温蒸发源

二、设备原理

       在超高真空条件下，样品衬底与蒸发源相对放置，通过电阻丝直接加热坩埚，或者电子束轰击生长源/坩埚的方式，使得生长源温度升高，在真空腔体内其饱和蒸气压升高，进而产生分子束流，在衬底表面经过吸附，迁移，扩散等过程，最终在样品表面沉膜、氧化物介电薄膜。

三、应用范围

• 常规金属

• 氧化物薄膜

• 二维材料

四、设备特色

• SPECS MBE含有多种生长源

• 电子束蒸发源，适用于较难蒸发的低蒸气压材料

• 衬底温度：110 K-1100 K

• 配有TPD（程序升温脱附）系统

五、应用领域

氧化物薄膜、催化、材料