真空度与真空测量要求：
(1)超髙真空(UHV)分析腔室以不锈钢制造，具有Mu金属磁场屏蔽设计;
(2)分析腔室最佳真空度^6. 7X10-8Pa。
2.高分辨二次电子(SE)成像系统：
(1)肖特基场发射电子枪，与能量分析器同轴设计；
(2)能量范围：0.1 ~ 25 keV；
(3)最小束斑直径(SEI暗场分辨率)：＜ 3 nm @25kV, ＜lnA；
(4)SEI图像漂移(图像匹配校准)：＜±5 nm, 1 hour @ InA, 20kV；
(5)二次电子图像放大倍率；45 X (3kV) ~ 1000000X；
3.俄歇电子能量分析器：
(1)能量分析器类型：同轴筒镜式能量分析器(CMA)和电子枪同轴设计，可提供最全面的俄歇分析能力；
(2)电子能量侦测范围：30~2400eV；
(3)电子接收角度：42° ±6° ;
(4)能量分辨率:0.5%至0.1%连续可调;
(5)俄歇空间分辨率：＜8 nm @ 1 nA, 20 kV;
(6)俄歇元素灵敏度(Cu LMM) (0.5%分析器能量分辨率)：70 kcps © 1 nA, 10 kV； 700 kcps 010 nA, 10kV；
(7)俄歇元素灵敏度(Cu LMM) (0.1%分析器能量分辨率)：100 kcps 010 nA, 10 kV;
(8)俄歇信噪比：＞ 700:1 010 nA, 10 kV
4.样品台：全自动5轴样品台：
(1)X、Y、Z方向移动，旋转及倾斜，系统软件控制：
(2)五轴样品台移动行程：X, Y方向运动范围不少于：0~50mm； Z方向运动范围不少于：0~20mm；倾斜角范围：0°~60°；旋转范围：0~360°，可进行常中心Zalar旋转式深度剖析；
(3)灵活样品固定和夹取设计，满足多种样品传送设备的设计要求，便于与纳米真空互联实验站的标准样品托兼容。
