一、型号：自研MBE-STM

      关键性能参数：

•       MBE：
  1.UHV: 10^-11tor
  2.蒸发源: 7个
  3.五维变温操纵台: 40K to 1300 ℃
  4.离子枪
  5.Flux monitor
  6.STM针尖加热处理 
   

•       STM：
  1.UHV: 10^-11torr
  2.样品架类型：Omicron型平板样品架
  3.温度范围：室温
  4.XY方向扫描范围：2um
  5.Z方向扫描范围：500nm
  6.XY方向粗动范围：±1mm
  7.Z方向粗动范围：5mm
  8.配有安捷伦150L离子泵
  9.配有UHV存样台 

二、设备原理

       STM(扫描隧道显微镜)，通过高精度陶瓷管实现扫描探针在原子尺度上可控运动，测量扫描探针和样品表面隧穿电流，实现材料表面原子结构、电子结构的观测。STM与分子束外延腔体（MBE）结合，可分析薄膜和单晶块材表面结构信息。

三、应用范围

      材料表面形貌分析
      低维材料原位MBE生长

四、设备特色

      原位样品处理（加热、氩离子轰击）
      原位薄膜样品生长（配备分子束外延腔）
      原位针尖处理（电子束轰击）
      样品通常需要具备一定的导电性

五、应用领域

      低温超导、拓扑绝缘体、化合物半导体、半导体、催化、分子电子学等