一、设备型号、关键性能参数

型号：metal-MBE

关键性能参数：

• 功能：金属薄膜的制备和基于金属材料的图案转移；

• 工作压力：UHV（5.6×10^-11mbar）；

• 样品尺寸:  2英寸并向下兼容小样品；

• 衬底加热温度：800℃；

• 配备Al蒸发源 （双温区，能防止Al材料从坩埚口溢出），束源炉的最大加热温度是1400℃（此时材料的最大沉积速率为3A/s）；

• 配备金蒸发束源炉，最大加热温度是1250℃（此时材料的蒸发速率是0.6A/s）；

• 配备镍蒸发束源炉，最大加热温度是1350℃（此时材料的蒸发速率是0.4A/s）。

二、设备原理

金属分子束外延系统（metal MBE），在超高真空环境利用热蒸发原理沉积金属薄膜（目前可生长Al、Au、Ni等），可借助mask进行图形转移，在低维金属材料及器件制作方向具有广泛应用前景。

三、、应用范围

• 高质量金属薄膜的成分可控、膜厚可控生长；

• 高质量Al膜生长；

• 样品尺寸2英寸，满足一般器件加工要求；

• 可进行图形转移，应用于欧姆接触等领域；

金属分子束外延系统除满足常规金属材料生长（Au、Ni、Cu等），还配备Al蒸发源，同时可以利用mask可直接在不同的衬底上制备金属图形。可应用于半导体激光器欧姆接触等前沿研究领域。

四、设备特色

• 可进行图形转移；

• 30 KeV 反射式高能电子衍射仪，能实时检测薄膜的生长；

• 极限真空能达到5.3*10^-11mbar，工作真空一般能达到~2*10^-10mbar；

• 为了满足大尺寸样品的生长，坩埚的容量比较大，Al蒸发源容量为25cc，Au源容量为10cc，Ni源容量为30cc（还有3个备用束源炉法兰接口）。