一、关键参数

设备型号：

UHV Sputter System sputter-24

关键性能参数：

• 基片要求：2''，一次做一片样片；

• 电源：2个（1DC+1RF）；

• 靶位：4个（镍 铝 钯 钛）；

• 进气：N Ar O；

• 基片温度：室温至400℃；

• 薄膜均匀性≤±5%；

• 具备样品在真空管道与溅射腔室之间传送的功能；

• 设备本底真空：<5×10-7Pa

二、设备原理

       超高真空磁控溅射技术是一种较为常用的物理沉积法。磁控溅射是在真空室中，利用低压气体放电现象，使处于等离子状态下的离子轰击靶表面，并利用环状磁场控制辉光放电，使溅射出的粒子沉积在基片上。磁控溅射可以方便的制取高熔点物质的薄膜，在很大面积上可以制取均匀的膜层。

三、应用领域

       超高真空磁控溅射系统一般适用于高校和研究院所，为硅半导体和三五化合物半导体应用提供高性能的镀膜工艺。