一、设备型号、关键性能参数

设备型号：固液气MBE（Createc MBE）

关键性能参数：

真空度：优于2×10^-10 mbar；液氮冷屏充满液氮时优于9×10^-11 mbar；

旋转加热台：SiC加热元件，2英寸样品，RT-1000 °C，Z行程100 mm；

低温束源炉：RT-1200  °C, 10 cc 坩埚；

高温束源炉：RT-2000  °C, 10 cc坩埚；

Deco磷束源炉：RT-1400 °C ，附特制Trap去除Ga原子从而产生纯粹P原子，10 cc 坩埚；

裂解束源炉：适用于Te和Sb的热蒸发，蒸发区RT-600 °C，裂解区RT-800 °C，10cc 坩埚；

多坩埚e型电子束蒸发源：6 kW电源，电子加速电压6-10 kV, 4×7 cc坩埚；

精密进气装置：三路独立进气，每路独立微漏阀和不锈钢气路，液体气化进入腔体；流量精度0.5%，出口压力0.1-1 MPa可调；

15 keV RHEED及监测系统；

石英晶体微天平（QCM），具有生长速率实时监测功能；

样品尺寸: 2英寸并向下兼容小样品；

功能：特种薄膜生长和薄膜生长动力学研究。

二、设备原理

固液气分子束外延系统（Createc MBE）是一种高精度薄膜生长设备，通过在超高真空环境中将固态、液态和气态原材料分别加热或气化，以分子束的形式缓慢沉积在加热的衬底表面，实现单晶薄膜的原子级控制生长。系统集成热蒸发源、电子束源与精密进气装置，支持液体气化及多路气体独立控制，实现固-液-气三态材料的协同沉积。适用于多种复杂材料的制备，如二维材料、金属薄膜、氧化物薄膜等。

三、应用范围

该设备适用于在超高真空环境及可控氛围下制备单原子层、纳米到微米厚度的功能薄膜。系统支持最高1000  °C的衬底加热、2000  °C的束源加热和~3000 °C的电子束蒸发。覆盖元素周期表中绝大多数固体材料的生长需求。配备裂解束源，可实现P、Te、Sb等易形成分子团簇的裂解，支持MoTe(Se)₂等二维材料的生长。该系统广泛应用于新型光电器件、能源催化材料与低维功能材料的研究与开发。

四、设备特色

(1) 覆盖蒸镀温区广：RT-3000 °C；

(2) 支持固-液-气三态材料的协同沉积；

(3) 配置QCM与RHEED组件，具有生长速率实时监测功能；

(4) 系统与UHV管道互联，可不暴露大气进出样品。

五、应用领域

可应用于金属或氧化物薄膜，二维材料，半导体、微电子，新能源，光伏、化学，医药，等领域。