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仪器介绍：
原位Mask器件级图案化分子束外延设备及MBE-原位生长动力学研究设备
关键参数：
Ø 低温生长腔
· 极限真空：优于3×10-11 mbar，包含L-N2冷屏、低温泵、离子泵、TSP、分子泵、干泵
· 蒸发源炉：10个，其中电子束蒸发源（6坩埚）×1、裂解源×2、高温源（最高1800 ℃）×2，中温源等共10个源炉接口
· Manipulator：2个，其中1个水平安装，支持最大2英寸wafer，样品温度50 K~300 K连续可调，采用闭循环制冷，样品托可偏转±45°；1个垂直安装，支持最大2英寸wafer，温度RT~1000 ℃，可升降、旋转，转速0-30 RPM，旋转精度优于0.5°
· 生长监测：RHEED、RGA、QCM
Ø 高温生长腔
· 极限真空：优于5×10-11 mbar，包含L-N2冷屏、低温泵、离子泵、TSP、分子泵、干泵
· 蒸发源炉：4个，高温源×2，中温源×2
· Manipulator：垂直安装，支持最大2英寸wafer，温度RT~1000 ℃，可升降旋转，转速0-30 RPM，旋转精度优于0.5°
· 生长监测：RHEED、RGA、QCM
Ø 预处理腔
· 极限真空：优于1×10-10 mbar
· Manipulator：垂直安装，支持最大2英寸wafer，温度RT~1000 ℃，可升降旋转，转速0-30 RPM，旋转精度优于0.5°
· 离子预处理：Ar+ Sputter氩枪
Ø 应用范围
原子级精度的薄膜材料生长、拓扑量子器件原位构筑、低维材料生长、真空互联器件工艺
Ø 设备特色
· 低温水平放置Manipulator可满足最大2英寸wafer、温度50 K~300 K、偏转±45°材料生长；可实现线宽低至50 nm器件级无掩膜图形化功能
Ø 应用领域
器件真空图形化工艺、二维拓扑材料及器件、拓扑量子器件、图形化阵列、量子阱生长等
设备管理员：郭路安13866873990、冀连连18761927682
主要仪器管理员： 冀连连(电话:18761927682)
工作时间： 09:00-12:00;14:00-18:00
最小可预约时间段： 0.5 小时
最大可预约时间段： 168 小时
日历最小单位： 0.5 小时
最近提前预约时间： 未授权用户: 24小时； 普通资格用户: 24小时； 资深资格用户: 24小时
最远提前预约时间： 未授权: 720 小时 0 点； 普通: 720 小时 0 点； 资深: 720 小时 0 点
预约保护时间： 15 分钟
失约保护时间： 15 分钟
断电延时时间： 30 秒
最短重上电时间： 5 秒
使用超时提醒： 120 秒
最大有效预约次数： 5 次/天
无代价撤销预约时间： 1440 分钟
| 用户资格 | 工作时间 | 非工作时间 |
|---|---|---|
| 未授权资格 | ||
| 普通资格 | ||
| 资深资格 |
| 序号 | 标题 | 文件数量 | 添加时间 | 操作 |
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