5. 超高真空磁控溅射（SPUTTER）

仪器生产商： XXX

资产编号： ----

资产负责人： ----

购买经办人： ----

主要配件： ----

主要参数： Substrate: 2 inch; Power supply: 1DC+1 RF Sputter gun: 4; Targets: Pd, Pt, Au, Ni, Ti, Cu, Cr, Al Gas type : N2 ,Ar ,O2 Sample heating temperature : < 400 °C Film uniformity : +/-5% Base pressure : <5E-9 Torr

仪器介绍：

一、关键参数

设备型号：

UHV Sputter System sputter-24

关键性能参数：

基片要求：2''，一次做一片样片；
电源：2个（1DC+1RF）；
靶位：4个（镍铝钯钛）；
进气：N Ar O；
基片温度：室温至400℃；
薄膜均匀性≤±5%；
具备样品在真空管道与溅射腔室之间传送的功能；
设备本底真空：<5×10-7Pa

二、设备原理

超高真空磁控溅射技术是一种较为常用的物理沉积法。磁控溅射是在真空室中，利用低压气体放电现象，使处于等离子状态下的离子轰击靶表面，并利用环状磁场控制辉光放电，使溅射出的粒子沉积在基片上。磁控溅射可以方便的制取高熔点物质的薄膜，在很大面积上可以制取均匀的膜层。

三、应用领域

超高真空磁控溅射系统一般适用于高校和研究院所，为硅半导体和三五化合物半导体应用提供高性能的镀膜工艺。

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资深资格	免审核	免审核

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